SI4913DY

Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET The SI4913DY is a dual N-channel MOSFET manufactured by Vishay. Here are the specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5.3A per channel  
- **R_DS(on) (Max):** 28mΩ at V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SO-8  

### **Descriptions:**  
- The SI4913DY is a high-performance dual N-channel MOSFET designed for power management applications.  
- It features low on-resistance and fast switching characteristics, making it suitable for DC-DC converters, load switching, and motor control.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on):** Enhances efficiency in power applications.  
- **TrenchFET® Gen III Technology:** Provides improved performance in a compact package.  
- **Dual N-Channel Configuration:** Allows for space-saving designs.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with 5V drive signals.  
- **Fast Switching Speed:** Reduces switching losses.  
- **ESD Protection:** Improves reliability in harsh environments.  

This information is based solely on the provided knowledge base. Let me know if you need further details.

Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET