**Part Number:** SI4896DY  

### **Specifications:**  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 12A (per MOSFET)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 48A  
- **R_DS(on) (Max):**  
  - 9.5mΩ @ V_GS = 10V  
  - 11mΩ @ V_GS = 4.5V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W (per MOSFET)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** SO-8 (Dual MOSFET)  

### **Descriptions and Features:**  
- **High Efficiency:** Low R_DS(on) for reduced conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed switching applications.  
- **Dual MOSFET Design:** Two N-Channel MOSFETs in a single SO-8 package.  
- **TrenchFET® Gen III Technology:** Enhances performance in power management applications.  
- **Applications:** Used in DC-DC converters, motor control, power management, and load switching.  
- **Pb-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly manufacturing.  

(Data sourced from VISHAY’s official documentation.)