N-Channel, 30-V (D-S) MOSFET The part **SI4894BDY** is manufactured by **Vishay**. Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI4894BDY  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** Silicon (Si)  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 8.7A  
- **R_DS(on) (Max) @ V_GS:** 10V): 0.028Ω  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

### **Descriptions:**
- The **SI4894BDY** is an **N-Channel MOSFET** designed for high-efficiency power management applications.  
- It is optimized for **low on-resistance (R_DS(on))** and **fast switching performance**.  
- Suitable for **DC-DC converters, load switches, and power management** in portable and industrial applications.  

### **Features:**
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses.  
- **High current handling capability** (8.7A continuous drain current).  
- **Optimized for fast switching** in power conversion circuits.  
- **PowerPAK® SO-8 package** for improved thermal performance and space-saving PCB design.  
- **AEC-Q101 qualified** for automotive applications (if applicable).  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

N-Channel, 30-V (D-S) MOSFET

N-Channel, 30-V (D-S) MOSFET **Manufacturer:** Vishay Siliconix  

**Part Number:** SI4894BDY  

**Specifications:**  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 7.5 A (per MOSFET)  
- **R_DS(on) (Max):** 0.025 Ω (at V_GS = 10 V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5 W (per MOSFET)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SO-8  

**Descriptions:**  
The SI4894BDY is a dual N-channel MOSFET designed for high-efficiency power management applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for DC-DC converters, load switches, and motor control.  

**Features:**  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- TrenchFET® Gen III technology for high efficiency  
- Optimized for synchronous rectification  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant  
- Avalanche energy specified for ruggedness

N-Channel, 30-V (D-S) MOSFET