### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 10A per channel  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 40A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_{DS(on)  - 9.5mΩ (max) at VGS = 10V  
  - 12mΩ (max) at VGS = 4.5V  
- **Power Dissipation (PD):** 3.1W (per MOSFET)  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +150°C  
- **Package:** SO-8}  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-efficiency power management applications.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Optimized for synchronous buck converters and motor control.  
- TrenchFET® Gen III technology ensures high performance and reliability.  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant.  

For detailed datasheet information, refer to Vishay's official documentation.