N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET The **SI4886DY-T1-E3** is a **Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET** manufactured by **Vishay**.  

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (VDS):** 30 V  
- **Current Rating (ID):** 9.5 A (per channel)  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5 W  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 19 mΩ (max) at VGS = 10 V  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):** 1 V (min) to 2.5 V (max)  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20 V  
- **Package:** SO-8  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions & Features:**  
- **Dual N-Channel MOSFET** in a single package  
- **Low On-Resistance** for efficient power handling  
- **Optimized for high-speed switching** applications  
- **Lead (Pb)-free and RoHS compliant**  
- **AEC-Q101 qualified** for automotive applications  
- **Suitable for power management** in DC-DC converters, motor control, and load switching  

This MOSFET is designed for **high-performance power switching** in various electronic circuits.

N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET