**Part Number:** SI4884DY  

### **Specifications:**  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 10A (per MOSFET)  
- **R_DS(ON) (Max):**  
  - 9.5mΩ @ V_GS = 10V  
  - 11mΩ @ V_GS = 4.5V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W (per MOSFET)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SO-8 (PowerPAK® SO-8)  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-efficiency power management applications.  
- Low on-resistance (R_DS(ON)) for reduced conduction losses.  
- Optimized for synchronous buck converters and motor control.  

### **Features:**  
- **Dual N-Channel MOSFET** in a single package.  
- **TrenchFET® Gen III technology** for enhanced performance.  
- **Low gate charge (Q_G)** for fast switching.  
- **Avalanche energy rated** for ruggedness.  
- **Lead (Pb)-free and RoHS compliant.**  

(Data sourced from Vishay’s official documentation.)