N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET **Manufacturer:** VISHAY  

**Part Number:** SI4882DY  

### **Specifications:**  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen IV  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 10A (per MOSFET)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 40A  
- **R_DS(ON) (Max):**  
  - 8.5mΩ @ V_GS = 10V  
  - 10mΩ @ V_GS = 4.5V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W (per MOSFET)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SO-8  

### **Descriptions and Features:**  
- **High Efficiency:** Low R_DS(ON) for reduced conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed switching applications.  
- **Dual MOSFET Configuration:** Two N-Channel MOSFETs in a single package.  
- **Advanced TrenchFET® Technology:** Enhances performance in power management applications.  
- **Applications:**  
  - DC-DC converters  
  - Motor control  
  - Power management in portable devices  
  - Load switching  

This information is based on VISHAY's official specifications for the SI4882DY.

N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET

N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET The SI4882DY is a P-channel MOSFET manufactured by Siliconix (now part of Vishay). Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -5.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -22A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.035Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V to -3V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 18nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 650pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 190pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 60pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**
The SI4882DY is a P-channel enhancement-mode MOSFET designed for high-efficiency power management applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for load switching, power supplies, and DC-DC converters.

### **Features:**
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in inductive load conditions.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with 5V drive signals.  
- **TO-252 (DPAK) Package:** Compact surface-mount design for efficient PCB space utilization.  

For detailed datasheet information, refer to Vishay Siliconix documentation.

N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET