N-Channel 30-V (D-S) MOSFET The SI4880DY is a dual N-channel MOSFET manufactured by Vishay. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 12A (per MOSFET)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 48A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 14mΩ (max at V_GS = 10V)  
- **Power Dissipation (P_D):** 3.1W (per MOSFET)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** SO-8 (Dual MOSFET)  

### **Descriptions:**
- The SI4880DY is a high-performance dual N-channel MOSFET designed for power management applications.  
- It is optimized for low on-resistance and high current handling in a compact SO-8 package.  
- Suitable for synchronous rectification, DC-DC converters, motor control, and load switching.  

### **Features:**
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **High Current Capability:** Supports up to 12A continuous current per MOSFET.  
- **Fast Switching:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **Dual MOSFET in Single Package:** Saves board space compared to discrete components.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with 5V and 10V gate drive signals.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

For detailed datasheet information, refer to Vishay's official documentation.

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET The SI4880DY is a P-channel MOSFET manufactured by Siliconix (now part of Vishay). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Siliconix (Vishay)  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -13A (at T_C = 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -52A  
- **Power Dissipation (P_D):** 3.1W (at T_A = 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.025Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Gate Charge (Q_g):** 30nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 600pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 40ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** SO-8  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for high-efficiency power management applications.  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses.  
- Fast switching speed for improved performance in switching applications.  
- Avalanche energy rated for ruggedness in inductive load conditions.  
- Suitable for load switching, DC-DC converters, and battery management systems.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet. For detailed application notes, refer to the official Vishay/Siliconix documentation.

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET