N-Channel 30-V (D-S) MOSFET + Schottky Diode The SI4852DY is a power MOSFET manufactured by Vishay. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI4852DY  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Package:** SO-8  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 12A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 48A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 8.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.5V (min) to 2.5V (max)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 18nC (typical) at V_DS = 15V, I_D = 6A  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The SI4852DY is an N-channel power MOSFET designed for high-efficiency power management applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and load switching.

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses  
- Fast switching speed for improved efficiency  
- High current handling capability  
- Avalanche energy rated for ruggedness  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant  

This information is based on Vishay's official datasheet for the SI4852DY. For detailed application notes or reliability data, refer to the manufacturer's documentation.

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET + Schottky Diode