N-Channel 12-V (D-S) MOSFET The SI4838BDY-T1-GE3 is a P-channel MOSFET manufactured by Vishay. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Vishay  

### **Part Number:**  
SI4838BDY-T1-GE3  

### **Description:**  
P-Channel 20 V (D-S) MOSFET  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 20 V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -6.3 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -25 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5 W  
- **R_DS(ON) (Max) @ V_GS = 10 V:** 28 mΩ  
- **R_DS(ON) (Max) @ V_GS = 4.5 V:** 40 mΩ  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1 V (Max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1000 pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300 pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 60 pF  

### **Package:**  
- **Type:** PowerPAK® SO-8  
- **Mounting Type:** Surface Mount  
- **Termination Style:** SMD/SMT  

### **Features:**  
- Low on-resistance  
- High power and current handling capability  
- Optimized for power management applications  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet. For detailed application guidelines, refer to Vishay's official documentation.

N-Channel 12-V (D-S) MOSFET