N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode The SI4832DY-T1 is a P-Channel MOSFET manufactured by Siliconix (a subsidiary of Vishay). Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -4.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -17A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 85mΩ at V_GS = -10V  
  - 110mΩ at V_GS = -4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V to -3V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 8.5nC  
- **Input Capacitance (C_iss):** 440pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 110pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 40pF  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Package:**
- **Type:** SO-8 (Surface Mount)  

### **Features:**
- **Low On-Resistance** for efficient power management.  
- **Fast Switching Speed** suitable for high-frequency applications.  
- **Logic-Level Gate Drive** compatible with 4.5V drive signals.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant** for environmental safety.  
- **Avalanche Energy Rated** for improved ruggedness.  

### **Applications:**
- Power management in portable devices.  
- Load switching in battery-powered systems.  
- DC-DC converters.  
- Motor control circuits.  

This MOSFET is designed for high-efficiency power switching applications with low gate drive requirements.

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode