Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode The SI4830DY-T1 is a P-channel MOSFET manufactured by Siliconix (now part of Vishay). Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -5.8A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -20A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 50mΩ (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V to -3V  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**
- **Package:** SO-8 (Surface Mount)  
- **Technology:** TrenchFET® (Low On-Resistance)  
- **Polarity:** P-Channel  
- **Application:** Power Management, Load Switching, DC-DC Converters  

### **Features:**
- Low On-Resistance for Reduced Power Loss  
- High-Speed Switching Performance  
- Enhanced Thermal Performance  
- RoHS Compliant  
- Lead-Free and Halogen-Free  

This MOSFET is designed for efficient power handling in various electronic circuits.

Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode