### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -30 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -5.7 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -20 A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5 W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 85 mΩ (max) at V_GS = -10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1 V to -3 V  
- **Package:** SO-8 (D2PAK)  

### **Descriptions and Features:**  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Low On-Resistance:** Optimized for power efficiency  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications  
- **Avalanche Rated:** Enhanced ruggedness  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  
- **Applications:** Power management, DC-DC converters, load switching  

This information is based on Vishay's datasheet for the SI4830CDY.