Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode The SI4830ADY is a P-Channel MOSFET manufactured by Siliconix (now part of Vishay). Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -5.7A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -20A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.045Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V to -3V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 13nC (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**
- The SI4830ADY is a P-Channel enhancement-mode power MOSFET designed for high-efficiency switching applications.  
- It is housed in a SO-8 package, making it suitable for space-constrained designs.  
- It is optimized for low on-resistance and fast switching performance.  

### **Features:**
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Enhances efficiency in power conversion circuits.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in inductive load applications.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with 5V and 10V gate drive signals.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This MOSFET is commonly used in power management, DC-DC converters, load switching, and battery protection circuits.  

(Source: Siliconix/Vishay datasheet for SI4830ADY.)

Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode

Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode The SI4830ADY is a dual N-channel MOSFET manufactured by Vishay. Here are its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 14A (per MOSFET)  
- **R_DS(on) (Max):** 9.5mΩ at V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W (per MOSFET)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SO-8  

### **Descriptions:**
- The SI4830ADY is a high-performance dual N-channel MOSFET designed for power management applications.  
- It features low on-resistance (R_DS(on)) and fast switching characteristics.  
- Suitable for synchronous buck converters, DC-DC converters, and motor control applications.  

### **Features:**
- **Low R_DS(on):** Enhances efficiency in power conversion.  
- **TrenchFET® Gen III Technology:** Provides high power density and reliability.  
- **Dual N-Channel Configuration:** Allows compact circuit designs.  
- **Optimized for High-Speed Switching:** Reduces switching losses.  
- **Lead (Pb)-Free and RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

For detailed datasheet information, refer to Vishay's official documentation.

Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode