SI4818DY

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode The SI4818DY is a dual N-channel MOSFET manufactured by Vishay. Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5.3A per channel  
- **R_DS(on) (Max) @ V_GS = 10V:** 0.035Ω  
- **R_DS(on) (Max) @ V_GS = 4.5V:** 0.05Ω  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W (per MOSFET)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SO-8  

### **Descriptions:**  
The SI4818DY is a high-performance dual N-channel MOSFET designed for power management applications. It features Vishay’s TrenchFET® Gen III technology, providing low on-resistance and high efficiency in a compact SO-8 package.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses  
- Optimized for high-frequency switching applications  
- Fast switching performance  
- Lead-free and RoHS compliant  
- Suitable for synchronous rectification in DC-DC converters  

This information is based solely on the provided knowledge base.

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode