N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode The SI4818DY is a dual N-channel MOSFET manufactured by Vishay Siliconix. Here are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5.7A per channel  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 20A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.028Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W per channel  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- **Package:** SO-8 (Surface Mount)  
- **Configuration:** Dual N-channel MOSFET in a single package  
- **Technology:** TrenchFET® power MOSFET  

### **Features:**  
- Low on-resistance for reduced power loss  
- High current handling capability  
- Fast switching performance  
- Optimized for power management applications  
- Lead-free and RoHS compliant  

This MOSFET is commonly used in power switching applications, DC-DC converters, and motor control circuits.

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode The SI4818DY is a P-channel MOSFET manufactured by Vishay Siliconix. Here are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
- **Vishay Siliconix**  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -5.8A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -23A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 45mΩ at V_GS = -10V  
  - 60mΩ at V_GS = -4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V to -3V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 15nC (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Package:**  
- **SO-8 (PowerPAK® SO-8)**  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance** for efficient power switching  
- **Fast Switching Speed**  
- **Avalanche Energy Rated**  
- **Lead (Pb)-Free and RoHS Compliant**  
- **Optimized for Power Management Applications**  

### **Applications:**  
- DC-DC Converters  
- Power Management Circuits  
- Load Switching  
- Battery Protection Circuits  

This information is based on the manufacturer's datasheet.

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode The SI4818DY is a dual N-channel MOSFET manufactured by Vishay. Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5.3A per channel  
- **R_DS(on) (Max) @ V_GS = 10V:** 0.035Ω  
- **R_DS(on) (Max) @ V_GS = 4.5V:** 0.05Ω  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W (per MOSFET)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SO-8  

### **Descriptions:**  
The SI4818DY is a high-performance dual N-channel MOSFET designed for power management applications. It features Vishay’s TrenchFET® Gen III technology, providing low on-resistance and high efficiency in a compact SO-8 package.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses  
- Optimized for high-frequency switching applications  
- Fast switching performance  
- Lead-free and RoHS compliant  
- Suitable for synchronous rectification in DC-DC converters  

This information is based solely on the provided knowledge base.

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode