N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode The part **SI4816DY** is manufactured by **Siliconix**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Siliconix  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET®  
- **Voltage Rating (VDS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 5.5A per channel  
- **Power Dissipation (PD):** 2W  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 50mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):** 1V (min), 2.5V (max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 500pF (typ)  
- **Package:** SOIC-8  

### **Descriptions:**  
- The **SI4816DY** is a dual N-channel enhancement-mode MOSFET designed for high-efficiency power management applications.  
- It utilizes Siliconix’s **TrenchFET®** technology, providing low on-resistance and fast switching performance.  
- Suitable for **DC-DC converters, power supplies, motor control, and load switching** applications.  

### **Features:**  
- **Dual N-Channel MOSFET** in a single package  
- **Low RDS(on)** for reduced conduction losses  
- **Fast switching speed** for improved efficiency  
- **30V drain-source voltage rating**  
- **SOIC-8 package** for space-saving designs  
- **Pb-free and RoHS compliant**  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode