Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode The SI4816DY-T1 is a P-channel MOSFET manufactured by Siliconix (now part of Vishay). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **SILICONIX** (a division of Vishay)  

### **Specifications:**  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -4.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -17A  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 0.065Ω (max) at V_GS = -4.5V  
  - 0.045Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** SO-8 (Surface Mount)  

### **Descriptions & Features:**  
- **Low On-Resistance:** Optimized for power efficiency in switching applications.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Can be driven by low-voltage control signals.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhanced ruggedness for reliability in harsh conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to the official Vishay/Siliconix documentation.

Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode