Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode The SI4816DY-T1-E3 is a P-channel MOSFET manufactured by Vishay. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI4816DY-T1-E3  
- **Transistor Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -4.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -17A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 85mΩ @ V_GS = -10V, 110mΩ @ V_GS = -4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V to -3V  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SO-8  

### **Descriptions:**
- The SI4816DY-T1-E3 is a P-channel MOSFET designed for power management applications.  
- It is optimized for low-voltage, high-efficiency switching applications.  
- Suitable for load switching, battery protection, and DC-DC conversion.  

### **Features:**
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses.  
- High current-handling capability.  
- Fast switching performance.  
- RoHS compliant.  
- Lead-free and halogen-free.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and specifications.

Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode