### **Specifications:**  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 20 V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6.3 A (per MOSFET)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 25 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2 W (per MOSFET)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 28 mΩ (max) at V_GS = 4.5 V  
  - 22 mΩ (max) at V_GS = 10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 0.6 V to 1.5 V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 8 nC (typical) at V_GS = 4.5 V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 550 pF (typical)  
- **Package:** SO-8  

### **Descriptions and Features:**  
- **Dual N-Channel MOSFET:** Contains two independent N-channel MOSFETs in a single package.  
- **TrenchFET® Gen III Technology:** Provides low on-resistance and high efficiency.  
- **Low Gate Charge:** Enables fast switching performance.  
- **Optimized for Power Management:** Suitable for DC-DC converters, load switches, and motor control.  
- **Lead-Free and RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  
- **AEC-Q101 Qualified:** Suitable for automotive applications.  

This information is based on Vishay's official datasheet for the SI4814DY.