N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode The SI4812DY-T1 is a power MOSFET manufactured by TEMIC (now part of ON Semiconductor). Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** TEMIC (ON Semiconductor)  
- **Part Number:** SI4812DY-T1  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Package:** SOIC-8  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 20V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±12V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 6.3A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 25A  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5W  
- **On-Resistance (RDS(ON)):** 0.028Ω (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1V (min), 2.5V (max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 600pF (typ)  
- **Output Capacitance (Coss):** 200pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 50pF (typ)  
- **Switching Speed:** Fast switching performance  

### **Descriptions:**
- The SI4812DY-T1 is a N-channel MOSFET designed for high-efficiency power management applications.  
- It is optimized for low on-resistance and high current handling in a compact SOIC-8 package.  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and load switching applications.  

### **Features:**
- Low RDS(ON) for reduced conduction losses.  
- Fast switching speed for improved efficiency.  
- Compact SOIC-8 package for space-constrained designs.  
- Suitable for high-frequency switching applications.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

For exact application details, refer to the official datasheet from ON Semiconductor.

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode