N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode The SI4812DY-T1-E3 is a P-channel MOSFET manufactured by Vishay. Below are its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI4812DY-T1-E3  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -6.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -25A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 28mΩ (max) at V_GS = -4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V (max)  
- **Package:** SO-8  

### **Descriptions:**  
- The SI4812DY-T1-E3 is a P-channel MOSFET designed for power management applications.  
- It is optimized for low on-resistance and high current handling in a compact SO-8 package.  
- Suitable for load switching, battery protection, and DC-DC conversion.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses.  
- High current capability.  
- Fast switching performance.  
- Lead-free and RoHS compliant.  
- AEC-Q101 qualified (if applicable).  

For further details, refer to the official Vishay datasheet.

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode