N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode The SI4810DY-T1 is a P-channel MOSFET manufactured by SILICONIX (now part of Vishay). Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -5.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -22A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 50mΩ (max) at V_GS = -4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V (max)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 12nC (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SO-8  

### **Descriptions:**
- The SI4810DY-T1 is a P-channel enhancement-mode MOSFET designed for high-efficiency power management applications.  
- It is optimized for low on-resistance and fast switching performance.  
- Suitable for load switching, power management, and battery protection circuits.  

### **Features:**
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Fast switching speed for improved efficiency.  
- Logic-level gate drive compatibility.  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant.  
- Avalanche energy rated for ruggedness in inductive load applications.  

For detailed datasheet information, refer to Vishay/SILICONIX documentation.

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode