N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode The SI4810BDY is a P-channel MOSFET manufactured by Vishay. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -6.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -25A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 28mΩ at V_GS = -4.5V  
  - 36mΩ at V_GS = -2.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -0.7V to -2V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 12nC  
- **Input Capacitance (C_iss):** 700pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 180pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

### **Descriptions and Features:**
- Designed for high-efficiency power management applications.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Optimized for switching applications in power supplies, motor control, and battery management.  
- Fast switching performance with low gate charge.  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant.  
- PowerPAK® SO-8 package offers improved thermal performance and space-saving design.  

For detailed application notes and additional parameters, refer to Vishay’s official datasheet.

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode