SI4808DY-T1

Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode The SI4808DY-T1 is a power MOSFET manufactured by Siliconix (now part of Vishay). Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Siliconix (Vishay)  
- **Part Number:** SI4808DY-T1  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 9.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 38A  
- **R_DS(ON) (Max):** 0.022Ω @ V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SO-8 (Surface Mount)  

### **Descriptions:**
- The SI4808DY-T1 is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications.  
- It features low on-resistance (R_DS(ON)) for efficient power handling.  
- Suitable for switching and amplification in DC-DC converters, motor control, and load switching.  

### **Features:**
- **Low R_DS(ON):** Enhances efficiency in power applications.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency switching.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in transient conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  
- **SO-8 Package:** Compact and suitable for space-constrained designs.  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to Vishay's official documentation.

Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode