Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode The SI4808DY-T1 is a power MOSFET manufactured by Siliconix (now part of Vishay). Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Siliconix (Vishay)  
- **Part Number:** SI4808DY-T1  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 9.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 38A  
- **R_DS(ON) (Max):** 0.022Ω @ V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SO-8 (Surface Mount)  

### **Descriptions:**
- The SI4808DY-T1 is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications.  
- It features low on-resistance (R_DS(ON)) for efficient power handling.  
- Suitable for switching and amplification in DC-DC converters, motor control, and load switching.  

### **Features:**
- **Low R_DS(ON):** Enhances efficiency in power applications.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency switching.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in transient conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  
- **SO-8 Package:** Compact and suitable for space-constrained designs.  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to Vishay's official documentation.

Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode

Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode **Manufacturer:** VISHAY  

**Part Number:** SI4808DY-T1  

### **Specifications:**  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen IV  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 6.3A (per MOSFET)  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 25A  
- **Power Dissipation (PD):** 2W (per MOSFET)  
- **On-Resistance (RDS(on)):**  
  - 18mΩ (max) at VGS = 10V  
  - 22mΩ (max) at VGS = 4.5V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1V to 2.5V  
- **Package:** SO-8 (PowerPAK®)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**  
- **High Efficiency:** Low RDS(on) minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Dual MOSFET Configuration:** Two N-Channel MOSFETs in a single package.  
- **TrenchFET® Gen IV Technology:** Enhances performance and reliability.  
- **PowerPAK® SO-8 Package:** Compact footprint with improved thermal performance.  
- **Applications:** Power management, DC-DC converters, motor control, and load switching.  

(Data sourced from Vishay’s official documentation.)

Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode