Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET The SI4804DY-T1 is a P-channel MOSFET manufactured by Vishay Siliconix. Here are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -30 V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -4.5 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -18 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5 W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 85 mΩ (max) at V_GS = -10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1 V to -3 V  
- **Package:** SO-8  

### **Descriptions:**
- The SI4804DY-T1 is a P-channel MOSFET designed for power management applications.  
- It is optimized for low on-resistance and high current handling in a compact SO-8 package.  
- Suitable for switching and load control in portable electronics, power supplies, and battery management systems.  

### **Features:**
- **Low On-Resistance:** Ensures minimal power loss.  
- **High Current Capability:** Supports up to -4.5 A continuous drain current.  
- **Fast Switching:** Enhances efficiency in switching applications.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with low-voltage control signals.  
- **RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.

Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET