N-Channel 30-V (D-S) MOSFET The SI4802DY is a dual N-channel MOSFET manufactured by SILICONIX (now part of Vishay). Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** SILICONIX (Vishay)  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5.3A per channel  
- **Power Dissipation (P_D):** 2W (per MOSFET)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.045Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V to 2.5V  
- **Package:** SOIC-8  

### **Descriptions:**
- The SI4802DY is a dual N-channel MOSFET designed for high-efficiency power management applications.  
- It is optimized for low-voltage, high-speed switching in power supplies, motor control, and DC-DC converters.  
- The device features low on-resistance and fast switching characteristics.  

### **Features:**
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses.  
- **High current handling capability** (5.3A per channel).  
- **Fast switching speed** for improved efficiency.  
- **Dual N-channel configuration** in a compact SOIC-8 package.  
- **Logic-level compatible** gate drive (fully enhanced at 4.5V).  
- **Low gate charge** for reduced switching losses.  

This information is based solely on the manufacturer’s datasheet and technical documentation.

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET