N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode The SI4776DY-T1-GE3 is a power MOSFET manufactured by Vishay. Below are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI4776DY-T1-GE3  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 60A  
- **R_DS(ON) (Max):** 4.5mΩ @ V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 3.1W  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-efficiency power management applications.  
- Suitable for synchronous rectification in DC-DC converters and motor control circuits.  
- Low on-resistance (R_DS(ON)) for reduced conduction losses.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(ON):** Enhances efficiency in power conversion.  
- **Fast Switching:** Improves performance in high-frequency applications.  
- **PowerPAK® SO-8 Package:** Optimized for space-constrained designs.  
- **AEC-Q101 Qualified:** Suitable for automotive applications.  
- **Lead (Pb)-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This MOSFET is commonly used in power supplies, load switches, and battery management systems.

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode