**Part Number:** SI4752DY  

**Specifications:**  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen IV  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 12A (per MOSFET)  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 48A  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5W (per MOSFET)  
- **On-Resistance (RDS(on)):**  
  - 9.5mΩ (max) at VGS = 10V  
  - 11mΩ (max) at VGS = 4.5V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1V (min), 2V (max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 1200pF (typ)  
- **Output Capacitance (Coss):** 350pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 50pF (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

**Descriptions and Features:**  
- High-performance dual N-Channel MOSFET in a compact SO-8 package.  
- Optimized for low on-resistance and high current handling.  
- TrenchFET® Gen IV technology ensures high efficiency and thermal performance.  
- Suitable for power management applications, DC-DC converters, and motor control.  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant.  
- AEC-Q101 qualified for automotive applications.  

(Source: Vishay datasheet for SI4752DY)