N-Channel Synchronous MOSFETs With Break-Before-Make The SI4724CY-T1-E3 is a P-Channel MOSFET manufactured by Vishay. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI4724CY-T1-E3  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Technology:** Silicon (Si)  
- **Package:** SOT-23  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -4.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -17A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.25W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 36mΩ @ V_GS = -4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions & Features:**
- Designed for high-efficiency power management applications.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance.  
- RoHS compliant and halogen-free.  
- Suitable for load switching, battery protection, and DC-DC conversion.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet for the SI4724CY-T1-E3.

N-Channel Synchronous MOSFETs With Break-Before-Make