**Part Number:** SI4670DY  

**Specifications:**  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 12A (per MOSFET)  
- **RDS(ON) (Max):** 10mΩ (at VGS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5W (per MOSFET)  
- **Package:** SO-8  

**Descriptions:**  
The SI4670DY is a dual N-channel MOSFET from Vishay's TrenchFET® Gen III series, designed for high-efficiency power management applications. It offers low on-resistance and high current handling in a compact SO-8 package.  

**Features:**  
- Low RDS(ON) for reduced conduction losses  
- High current capability  
- Optimized for synchronous buck converters  
- Fast switching performance  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant  

This information is based on the available knowledge base for the SI4670DY from Vishay.