Dual N-Channel 25-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode The SI4670DY-T1-E3 is a Power MOSFET manufactured by Vishay. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
- **Vishay**  

### **Part Number:**  
- **SI4670DY-T1-E3**  

### **Description:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Package:** SO-8  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 10A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 40A  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 8.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
  - 10mΩ (max) at V_GS = 4.5V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W (at 25°C)  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Optimized for high-efficiency power management.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **AEC-Q101 Qualified:** Meets automotive industry standards.  
- **Lead (Pb)-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  
- **TrenchFET® Gen III Technology:** Enhances performance in power conversion applications.  

### **Applications:**  
- DC-DC Converters  
- Motor Control  
- Power Management in Automotive and Industrial Systems  
- Load Switching  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.