N-Channel 25 V (D-S) MOSFET The SI4666DY is a P-Channel MOSFET manufactured by Vishay. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI4666DY  
- **Transistor Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -12A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -48A  
- **Power Dissipation (P_D):** 3.1W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 22mΩ (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V to -3V  
- **Package:** SO-8 (D2PAK)  

### **Descriptions:**
- The SI4666DY is a high-performance P-Channel MOSFET designed for power management applications.  
- It features low on-resistance and high current handling capability, making it suitable for switching and load control.  

### **Features:**
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **High Current Capability:** Supports up to -12A continuous drain current.  
- **Fast Switching:** Optimized for efficient power switching.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances reliability in rugged applications.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based on Vishay's datasheet for the SI4666DY. For detailed technical specifications, refer to the official documentation.