SI4618DY

Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode The SI4618DY is a dual N-channel MOSFET manufactured by Vishay. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI4618DY  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6.3A per channel  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 25A per channel  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 28mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W (per channel)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SO-8  

### **Descriptions:**
- The SI4618DY is a high-performance dual N-channel MOSFET designed for power management applications.  
- It utilizes Vishay’s TrenchFET® Gen III technology, offering low on-resistance and high efficiency.  
- Suitable for synchronous buck converters, motor control, and load switching.  

### **Features:**
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses.  
- **High current handling** capability in a compact SO-8 package.  
- **Fast switching performance** for improved efficiency.  
- **AEC-Q101 qualified** for automotive applications.  
- **Lead (Pb)-free and RoHS compliant.**  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode