SI4618DY-T1-E3

Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode The SI4618DY-T1-E3 is a dual N-channel MOSFET manufactured by Vishay. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI4618DY-T1-E3  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6.3A per channel  
- **R_DS(on) (Max):**  
  - 14mΩ at V_GS = 10V  
  - 17mΩ at V_GS = 4.5V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Package:** SO-8 (PowerPAK® SO-8)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The SI4618DY-T1-E3 is a high-performance dual N-channel MOSFET designed for power management applications.  
- It features Vishay’s TrenchFET® Gen III technology, providing low on-resistance and high efficiency.  
- Suitable for synchronous buck converters, DC-DC converters, and load switching applications.  

### **Features:**  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses.  
- Optimized for high-frequency switching.  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant.  
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21.  
- PowerPAK® SO-8 package for improved thermal performance.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode