**Part Number:** SI4599DY  

**Specifications:**  
- **Type:** Dual N-Channel and P-Channel MOSFET  
- **Voltage Rating (VDS):**  
  - N-Channel: 30V  
  - P-Channel: -30V  
- **Current Rating (ID):**  
  - N-Channel: 4.3A  
  - P-Channel: -3.5A  
- **On-Resistance (RDS(on)):**  
  - N-Channel: 50mΩ (max) at VGS = 10V  
  - P-Channel: 100mΩ (max) at VGS = -10V  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):**  
  - N-Channel: 1V (min), 2.5V (max)  
  - P-Channel: -1V (min), -2.5V (max)  
- **Power Dissipation (PD):** 2W  
- **Package:** SO-8  

**Descriptions:**  
The SI4599DY is a dual N-channel and P-channel MOSFET designed for power management applications. It combines high efficiency and low on-resistance in a compact SO-8 package.  

**Features:**  
- Low on-resistance  
- High-speed switching  
- Logic-level compatible gate drive  
- ESD protection  
- Lead-free and RoHS compliant  

(Source: Vishay datasheet for SI4599DY)