SI4599DY-T1-GE3

**Part Number:** SI4599DY-T1-GE3  

### **Specifications:**  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 6.3A per channel  
- **RDS(ON) (Max):** 28mΩ at VGS = 10V, 35mΩ at VGS = 4.5V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 2W  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**  
- **Dual N-Channel MOSFET:** Designed for high-efficiency power management applications.  
- **Low On-Resistance:** Enhances power efficiency and reduces conduction losses.  
- **TrenchFET® Gen III Technology:** Provides superior switching performance and thermal efficiency.  
- **PowerPAK® SO-8 Package:** Compact footprint with improved thermal performance.  
- **Applications:** Used in power supplies, DC-DC converters, motor control, and load switching.  
- **RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the SI4599DY-T1-GE3.