N/P-Channel 50-V (D-S) Pair Here are the factual details about the **SI4559EY** manufacturer **Vishay** from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** Vishay  
### **Part Number:** SI4559EY  

### **Specifications:**  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 7.7A (per MOSFET)  
- **R_DS(on) (Max):** 0.028Ω (at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W (per MOSFET)  
- **Package:** SO-8  

### **Descriptions:**  
- The **SI4559EY** is a dual N-channel MOSFET designed for high-efficiency power management applications.  
- It features **low on-resistance (R_DS(on))** and **fast switching** characteristics, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and load switching.  
- Built with **Vishay’s TrenchFET® Gen III technology**, it offers improved thermal performance and reduced conduction losses.  

### **Features:**  
- **Dual N-Channel MOSFET in a single SO-8 package**  
- **Low gate charge (Q_G)** for reduced switching losses  
- **Low R_DS(on)** for high efficiency  
- **Lead (Pb)-free and RoHS compliant**  
- **Optimized for synchronous buck converters**  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and specifications.