**Part Number:** SI4559ADY  

**Specifications:**  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 9.5A (per MOSFET)  
- **R_DS(on) (Max):** 13.5mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W (per MOSFET)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SO-8  

**Descriptions:**  
The SI4559ADY is a dual N-Channel MOSFET designed for high-efficiency power management applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and load switching.  

**Features:**  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- Optimized for high-frequency switching  
- TrenchFET® Gen III technology for improved efficiency  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant  
- Avalanche energy specified for ruggedness  

(Note: Specifications are based on typical values; refer to the datasheet for exact details.)