**Part Number:** SI4544DY  

### **Specifications:**  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6.3A (per MOSFET)  
- **R_DS(on) (Max):** 0.028Ω (at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W (per MOSFET)  
- **Package:** SOIC-8  

### **Descriptions:**  
- The SI4544DY is a dual N-channel MOSFET designed for high-efficiency power management applications.  
- It features low on-resistance and fast switching characteristics.  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and load switching.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on):** Enhances power efficiency.  
- **Fast Switching Speed:** Reduces switching losses.  
- **Dual N-Channel Configuration:** Space-saving solution for compact designs.  
- **Avalanche Energy Rated:** Ensures robustness in high-energy environments.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with 5V drive signals.  

(Note: Always refer to the latest datasheet for updated specifications.)

**Part Number:** SI4544DY  

**Specifications:**  
- **Type:** Dual N-Channel and P-Channel MOSFET  
- **Voltage Rating (V_DSS):**  
  - N-Channel: 30V  
  - P-Channel: -30V  
- **Current Rating (I_D):**  
  - N-Channel: 6.3A  
  - P-Channel: -5.2A  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - N-Channel: 50mΩ (max) at V_GS = 10V  
  - P-Channel: 100mΩ (max) at V_GS = -10V  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):**  
  - N-Channel: 1V to 2.5V  
  - P-Channel: -1V to -2.5V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2W  
- **Package:** SOIC-8  

**Descriptions and Features:**  
- Designed for high-efficiency power management applications.  
- Low gate charge for fast switching performance.  
- Suitable for synchronous buck converters and other DC-DC applications.  
- Pb-free and RoHS compliant.  

(Note: Always verify datasheet details for exact specifications.)

**Part Number:** SI4544DY  

**Description:**  
The SI4544DY is a dual N-channel and P-channel MOSFET in a PowerPAK® SO-8 package. It is designed for high-efficiency power management applications, including DC-DC converters, load switches, and battery management systems.  

**Key Features:**  
- **Dual MOSFET Configuration:** Combines one N-channel and one P-channel MOSFET in a single package.  
- **Low On-Resistance (RDS(on)):**  
  - N-channel: 0.028Ω (max) at VGS = 4.5V  
  - P-channel: 0.045Ω (max) at VGS = -4.5V  
- **Low Gate Charge:** Optimized for fast switching performance.  
- **Voltage Ratings:**  
  - Drain-to-Source Voltage (VDS): ±20V  
  - Gate-to-Source Voltage (VGS): ±12V  
- **High Current Handling:**  
  - Continuous Drain Current (ID): 5.8A (N-channel), -4.5A (P-channel)  
- **PowerPAK® SO-8 Package:** Compact footprint with improved thermal performance.  
- **Applications:**  
  - Synchronous buck converters  
  - Power switches  
  - Motor control  
  - Battery protection circuits  

**Note:** Specifications may vary based on operating conditions. Always refer to the datasheet for detailed electrical characteristics.