N/P-Channel 30-V (D-S) Pair The SI4542DY is a power MOSFET manufactured by Vishay Siliconix. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Vishay Siliconix  

### **Part Number:**  
SI4542DY  

### **Description:**  
The SI4542DY is a dual N-channel and P-channel MOSFET in a single package, designed for power management applications.  

### **Key Features:**  
- **Dual MOSFET Configuration:**  
  - One N-channel MOSFET  
  - One P-channel MOSFET  
- **Voltage Ratings:**  
  - N-channel: 30V  
  - P-channel: -30V  
- **Current Ratings:**  
  - N-channel: 6.3A (continuous)  
  - P-channel: -5.2A (continuous)  
- **Low On-Resistance (RDS(on)):**  
  - N-channel: 0.028Ω (max at VGS = 10V)  
  - P-channel: 0.045Ω (max at VGS = -10V)  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):**  
  - N-channel: 1V to 2.5V  
  - P-channel: -1V to -2.5V  
- **Fast Switching Speed:**  
  - Optimized for high-efficiency power conversion  
- **Package:**  
  - SO-8 (Surface Mount)  

### **Applications:**  
- DC-DC converters  
- Power management in portable devices  
- Battery protection circuits  
- Motor control  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

N/P-Channel 30-V (D-S) Pair The SI4542DY is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** FAIRCHILD (now part of ON Semiconductor)  
- **Part Number:** SI4542DY  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET®  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GSS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6.3A per channel  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 25A per channel  
- **Power Dissipation (P_D):** 2W per channel  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.028Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V to 2.5V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 16nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1100pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 400pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SOIC-8  

### **Description:**
The SI4542DY is a dual N-channel MOSFET designed for high-efficiency power management applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and load switching.

### **Features:**
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses.  
- **Optimized for high-frequency switching** in power applications.  
- **TrenchFET® technology** for improved performance.  
- **Dual N-Channel configuration** in a single package.  
- **Lead-free and RoHS compliant.**  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

N/P-Channel 30-V (D-S) Pair The SI4542DY is a dual N-channel and P-channel MOSFET manufactured by Vishay.  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):**  
  - N-Channel: 30V  
  - P-Channel: -30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):**  
  - N-Channel: 6.3A  
  - P-Channel: -5.3A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - N-Channel: 50mΩ (at V_GS = 10V)  
  - P-Channel: 100mΩ (at V_GS = -10V)  
- **Package:** SO-8  

### **Descriptions & Features:**  
- **Dual MOSFET:** Contains one N-channel and one P-channel MOSFET in a single package.  
- **Low On-Resistance:** Enhances efficiency in power applications.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with 5V logic signals.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Low Gate Charge:** Reduces switching losses.  
- **Applications:** Power management, DC-DC converters, motor control, and load switching.  

This information is based on Vishay's datasheet for the SI4542DY.

N/P-Channel 30-V (D-S) Pair **Manufacturer:** SILICONIX  

**Part Number:** SI4542DY  

### **Specifications:**  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET®  
- **Voltage Rating (VDS):** 30V  
- **Current Rating (ID):** 6.3A per channel  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 28mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):** 1V to 2.5V  
- **Power Dissipation (PD):** 2W per channel  
- **Package:** SO-8 (Surface Mount)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**  
- **Dual N-Channel MOSFET:** Two independent N-Channel MOSFETs in a single package.  
- **TrenchFET® Technology:** Provides low on-resistance and high efficiency.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with 5V and 10V gate drive signals.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Low Gate Charge (Qg):** Reduces switching losses.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances ruggedness in inductive load applications.  
- **Applications:** Power management, DC-DC converters, motor control, and load switching.  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the SI4542DY.