N/P-Channel 30-V (D-S) Pair The SI4542DY is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:
### **Specifications:**
- **Manufacturer:** FAIRCHILD (now part of ON Semiconductor)  
- **Part Number:** SI4542DY  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET®  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 30V  
- **Gate-Source Voltage (VGSS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 6.3A per channel  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 25A per channel  
- **Power Dissipation (PD):** 2W per channel  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.028Ω (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1V to 2.5V  
- **Total Gate Charge (Qg):** 16nC (typical)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 1100pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 400pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 100pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SOIC-8  
### **Description:**
The SI4542DY is a dual N-channel MOSFET designed for high-efficiency power management applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and load switching.
### **Features:**
- **Low RDS(on)** for reduced conduction losses.  
- **Optimized for high-frequency switching** in power applications.  
- **TrenchFET® technology** for improved performance.  
- **Dual N-Channel configuration** in a single package.  
- **Lead-free and RoHS compliant.**  
This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.