N-and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET **Manufacturer:** VISHAY  
**Part Number:** SI4542DY-T1-E3  
**Pb-Free Specifications:** Yes, RoHS compliant  
**Description:**  
- Dual N-Channel and P-Channel MOSFET  
- Designed for high-efficiency power management applications  
- Low on-resistance (RDS(on)) for reduced power loss  
- Optimized for synchronous buck converters  

**Features:**  
- VDS (Drain-Source Voltage): 30V  
- ID (Drain Current): 6.3A (N-Channel), -5.2A (P-Channel)  
- Low gate charge for fast switching  
- Logic-level gate drive  
- PowerPAK® SO-8 package  
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21  

This information is based on the available specifications for the SI4542DY-T1-E3 from Vishay.

N-and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET The SI4542DY-T1-E3 is a dual N-channel and P-channel MOSFET manufactured by Vishay. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Configuration:** Dual N-Channel and P-Channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):**  
  - N-Channel: 30V  
  - P-Channel: -30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):**  
  - N-Channel: 5.3A  
  - P-Channel: -4.3A  
- **R_DS(ON) (Max) @ V_GS = 10V:**  
  - N-Channel: 0.035Ω  
  - P-Channel: 0.06Ω  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SO-8  

### **Descriptions:**
- The SI4542DY-T1-E3 is a dual MOSFET combining an N-channel and a P-channel MOSFET in a single SO-8 package.  
- It is designed for high-efficiency power management applications.  

### **Features:**
- Low on-resistance (R_DS(ON)) for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance.  
- Compact SO-8 package for space-saving designs.  
- Suitable for DC-DC converters, power management, and load switching applications.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and specifications.