30V Complementary PowerTrench MOSFET The SI4542 is a dual N-channel MOSFET manufactured by Vishay. Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Drain Current (I_D):** 5.7A (per MOSFET)  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W (per MOSFET)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 50mΩ (max at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V to 2.5V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 350pF (typical)  
- **Package:** SO-8  

### **Description:**  
The SI4542 is a dual N-channel MOSFET designed for high-efficiency power management applications. It is optimized for low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power switching circuits.  

### **Features:**  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- Fast switching speed  
- Dual N-channel configuration in a single package  
- Suitable for synchronous rectification  
- Lead-free and RoHS compliant  

For detailed electrical characteristics, refer to Vishay’s official datasheet.

30V Complementary PowerTrench MOSFET