### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):**  
  - N-Channel: 30V  
  - P-Channel: -30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):**  
  - N-Channel: 6.5A  
  - P-Channel: -5.0A  
- **R_DS(ON) (Max) @ V_GS = 10V:**  
  - N-Channel: 0.035Ω  
  - P-Channel: 0.065Ω  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** SO-8  

### **Descriptions and Features:**  
- **Dual MOSFET:** Combines N-channel and P-channel MOSFETs in a single package.  
- **Low On-Resistance:** Enhances efficiency in power management applications.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency switching circuits.  
- **Logic-Level Compatible:** Can be driven by low-voltage control signals.  
- **Applications:** Power management, DC-DC converters, motor control, and battery protection circuits.  

This information is based on Vishay's datasheet for the SI4532CDY.