N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET The **SI4511DY-T1-E3** is a **P-Channel MOSFET** manufactured by **Vishay**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual data:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Category:** MOSFET (P-Channel)  
- **Package:** SO-8 (Surface Mount)  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -5.5A  
- **R_DS(ON) (Max):** 0.042Ω @ V_GS = -10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The **SI4511DY-T1-E3** is a **P-Channel MOSFET** designed for **low-voltage, high-efficiency switching applications**.  
- It is optimized for **power management** in portable electronics, battery protection, and DC-DC converters.  
- The device features **low on-resistance (R_DS(ON))** for reduced conduction losses.  

### **Features:**  
- **Low Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V (typical)  
- **Fast Switching Speed**  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  
- **AEC-Q101 Qualified** (for automotive applications)  
- **Low Gate Charge (Q_G)** for improved efficiency  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET