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SI4501BDY from VISHAY

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13.672ms

SI4501BDY

Manufacturer: VISHAY

Complementary (N- and P-Channel) MOSFET

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
SI4501BDY VISHAY 10000 In Stock

Description and Introduction

Complementary (N- and P-Channel) MOSFET The SI4501BDY is a P-channel MOSFET manufactured by Vishay. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI4501BDY  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** -20V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±12V  
- **Continuous Drain Current (ID):** -5.5A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** -22A  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5W  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.045Ω (max) at VGS = -4.5V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** -1V to -2V  
- **Total Gate Charge (Qg):** 12nC (typical)  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

### **Description:**  
The SI4501BDY is a P-channel MOSFET designed for high-efficiency power management applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for load switching, power distribution, and DC-DC conversion.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (RDS(on)) for reduced conduction losses  
- Optimized for high-current applications  
- Fast switching performance  
- PowerPAK® SO-8 package for improved thermal performance  
- RoHS compliant  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and specifications.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
SI4501BDY SILICONIX 339 In Stock

Description and Introduction

Complementary (N- and P-Channel) MOSFET The SI4501BDY is a P-channel MOSFET manufactured by Siliconix (now part of Vishay). Below are its key specifications, descriptions, and features based on available information:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Siliconix (Vishay)  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** -20V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±12V  
- **Continuous Drain Current (ID):** -4.3A (at TC = 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** -17A  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5W (at TA = 25°C)  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.1Ω (max) at VGS = -4.5V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** -1V to -2V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 400pF (typical)  
- **Package:** SO-8  

### **Descriptions & Features:**
- Designed for **low-voltage, high-efficiency switching applications**.  
- **Low on-resistance (RDS(on))** for reduced conduction losses.  
- **Fast switching speed** suitable for power management in portable devices.  
- **Avalanche energy rated** for improved ruggedness.  
- **Lead-free and RoHS compliant**.  
- Common applications include **DC-DC converters, load switches, and battery management systems**.  

For exact datasheet details, refer to Vishay/Siliconix documentation.

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