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SI4500BDY from VISHAY

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SI4500BDY

Manufacturer: VISHAY

Complementary MOSFET Half-Bridge (N- and P-Channel)

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
SI4500BDY VISHAY 10000 In Stock

Description and Introduction

Complementary MOSFET Half-Bridge (N- and P-Channel) The SI4500BDY is a power MOSFET manufactured by Vishay. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Vishay  

### **Part Number:**  
SI4500BDY  

### **Type:**  
Power MOSFET (N-Channel)  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 13A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 52A  
- **RDS(ON) (Max) @ VGS = 10V:** 0.028Ω  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 3.1W  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +150°C  

### **Package:**  
- **Package Type:** D2PAK (TO-263)  
- **Mounting Type:** Surface Mount  

### **Features:**  
- Low on-resistance (RDS(ON))  
- Fast switching performance  
- High current handling capability  
- Avalanche energy rated  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant  

### **Applications:**  
- DC-DC converters  
- Motor control  
- Power management in automotive and industrial systems  
- Switching power supplies  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and specifications.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
SI4500BDY 1200 In Stock

Description and Introduction

Complementary MOSFET Half-Bridge (N- and P-Channel) The SI4500BDY is a P-channel MOSFET manufactured by Vishay Siliconix. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Vishay Siliconix  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** -30 V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20 V  
- **Continuous Drain Current (ID):** -5.8 A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** -23 A  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5 W  
- **On-Resistance (RDS(on)):**  
  - 50 mΩ at VGS = -10 V  
  - 65 mΩ at VGS = -4.5 V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** -1 V to -3 V  
- **Total Gate Charge (Qg):** 15 nC (typical)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 750 pF  
- **Output Capacitance (Coss):** 180 pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 50 pF  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +150°C  

### **Package:**  
- **Type:** DPAK (TO-252)  

### **Features:**  
- Low on-resistance for improved efficiency  
- Fast switching performance  
- High power dissipation capability  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant  

### **Applications:**  
- Power management in DC-DC converters  
- Load switching  
- Battery protection circuits  
- Motor control  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.

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