Complementary MOSFET Half-Bridge (N- and P-Channel) The SI4500BDY-T1-E3 is a Power MOSFET manufactured by Vishay. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Vishay  

### **Part Number:**  
SI4500BDY-T1-E3  

### **Description:**  
The SI4500BDY-T1-E3 is a N-Channel MOSFET designed for power management applications, offering low on-resistance and high efficiency.  

### **Key Features:**  
- **Channel Type:** N-Channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 10 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 40 A  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 12 mΩ (max) at V_GS = 10 V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5 W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

### **Applications:**  
- Power switching  
- DC-DC converters  
- Motor control  
- Battery management  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and specifications.