**Part Number:** SI4483EDY-T1-E3  

**Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 50A  
- **R_DS(on) (Max):** 3.8mΩ @ V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 3.1W  
- **Operating Junction Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

**Descriptions:**  
The SI4483EDY-T1-E3 is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications, offering low on-resistance and high current capability.  

**Features:**  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- Optimized for high-efficiency switching applications  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant  
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21  
- AEC-Q101 qualified for automotive applications