**Part Number:** SI4483ADY  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen IV  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 8.5A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 34A  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):**  
  - 10mΩ (VGS = 10V)  
  - 12mΩ (VGS = 4.5V)  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1V (typical)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 1100pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 220pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 50pF (typical)  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

### **Descriptions:**  
The SI4483ADY is a high-performance N-Channel MOSFET from Vishay’s TrenchFET® Gen IV series, optimized for low-voltage applications requiring high efficiency and power density.  

### **Features:**  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- High current handling capability  
- Fast switching performance  
- Improved thermal characteristics  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and power management applications  

(Source: Vishay datasheet)