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SI4482DY-T1 from SIL

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SI4482DY-T1

Manufacturer: SIL

N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
SI4482DY-T1,SI4482DYT1 SIL 2500 In Stock

Description and Introduction

N-Channel 100-V (D-S) MOSFET The SI4482DY-T1 is a P-channel MOSFET manufactured by Vishay Siliconix. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Vishay Siliconix  

### **Part Number:**  
SI4482DY-T1  

### **Description:**  
The SI4482DY-T1 is a P-channel MOSFET designed for high-efficiency power management applications. It is optimized for low-voltage, high-current switching applications.  

### **Key Features:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** -30 V  
- **Continuous Drain Current (ID):** -9.5 A  
- **RDS(on) (Max) @ VGS = -10 V:** 0.028 Ω  
- **RDS(on) (Max) @ VGS = -4.5 V:** 0.042 Ω  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20 V  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5 W  
- **Package:** SO-8 (D2PAK variant available)  
- **Low Gate Charge (QG):** 14 nC (typical)  
- **Low Threshold Voltage (VGS(th)):** -1 V to -2.5 V  
- **Fast Switching Speed**  
- **Avalanche Energy Rated**  

### **Applications:**  
- Power management in portable devices  
- DC-DC converters  
- Load switching  
- Battery protection circuits  

This information is based on the manufacturer's datasheet and specifications.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
SI4482DY-T1,SI4482DYT1 VISHAY 40000 In Stock

Description and Introduction

N-Channel 100-V (D-S) MOSFET **Manufacturer:** VISHAY  
**Part Number:** SI4482DY-T1  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen IV  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 11A  
- **RDS(ON) (Max):** 9.5mΩ @ VGS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5W  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +150°C  
- **Package:** SO-8  

### **Descriptions:**  
The SI4482DY-T1 is a high-performance N-Channel MOSFET from Vishay’s TrenchFET® Gen IV series. It is designed for low on-resistance and high switching efficiency in power management applications.  

### **Features:**  
- Low RDS(ON) for reduced conduction losses  
- Optimized for high-frequency switching  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant  
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21  
- AEC-Q101 qualified (for automotive applications)  

This MOSFET is commonly used in DC-DC converters, motor control, and power switching circuits.

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