SI4482DY-T1

N-Channel 100-V (D-S) MOSFET The SI4482DY-T1 is a P-channel MOSFET manufactured by Vishay Siliconix. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Vishay Siliconix  

### **Part Number:**  
SI4482DY-T1  

### **Description:**  
The SI4482DY-T1 is a P-channel MOSFET designed for high-efficiency power management applications. It is optimized for low-voltage, high-current switching applications.  

### **Key Features:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -30 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -9.5 A  
- **R_DS(on) (Max) @ V_GS = -10 V:** 0.028 Ω  
- **R_DS(on) (Max) @ V_GS = -4.5 V:** 0.042 Ω  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5 W  
- **Package:** SO-8 (D2PAK variant available)  
- **Low Gate Charge (Q_G):** 14 nC (typical)  
- **Low Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1 V to -2.5 V  
- **Fast Switching Speed**  
- **Avalanche Energy Rated**  

### **Applications:**  
- Power management in portable devices  
- DC-DC converters  
- Load switching  
- Battery protection circuits  

This information is based on the manufacturer's datasheet and specifications.

N-Channel 100-V (D-S) MOSFET